环境整治的战场上，志愿红马甲是最亮眼的底色。青年志愿服务队扛着工具奔走在整治一线，河道里的漂浮物、路边的杂草堆、墙角的废弃杂物，都被他们一一清理干净。“3·5”学雷锋纪念日当天，百余名志愿者分片行动，用半天时间让三条多年未彻底清扫的小巷焕然一新；植树节里，他们带着树苗在荒坡上忙碌，培土、浇水，细致得像对待自家菜园，数百棵新栽的树苗在春风里挺直腰杆。曾经的卫生死角变成了整洁的小广场，堆满垃圾的河岸种上了花草，村民们走在路上，看着越来越清爽的家园，脸上的笑容也多了起来。

　　志愿者们会定期前往孤寡老人的住所，为其打扫房间、购置生活所需物品。他们陪伴老人聊天以排解其烦闷，倾听老人讲述过往经历，为老人的生活带去温暖与慰藉。在关爱留守儿童领域，志愿者们借助“宜童享未来”暑期课堂等活动，为孩子们辅导课业，开展各类兴趣课程。来自多所院校的大学生志愿者以耐心与爱心为孩子们开启知识的大门，充实了孩子们的暑期生活，助力他们健康成长。

　　文明实践的舞台上，志愿红马甲是最活跃的主角。新时代文明实践所联合各方力量，把服务和欢乐送到村民家门口。“文明大集市”定期开集，医务人员搭起临时诊疗台，量血压、听心率，还手把手教老人做降压操；理发师带着工具来摆摊，免费给村民剪发，剪完还会给老人梳个精神的发型；非遗传承人现场教捏泥人，孩子们围在旁边学得不亦乐乎。机关干部志愿者则化身“宣讲员”，用村民听得懂的土话讲政策、说故事，把“绿水青山就是金山银山”的道理融进身边的变化里。这些活动像磁石一样吸引着村民，有人来办事，有人来学艺，有人来聊天，热闹的场面里藏着浓浓的烟火气和幸福感。

　　如今的五横乡，志愿精神已融入乡风吹进人心。越来越多的村民从“看客”变成“参与者”，曾经受助的张大叔主动加入环境整治队，被辅导过的孩子假期当起“小小志愿者”。这抹志愿红，不仅擦亮了乡村的颜值，温暖了百姓的日子，更凝聚起共建家园的力量，让五横乡在乡村振兴的路上走得更稳、更暖。（通讯员 张佳）

　　在宜秀区五横乡，志愿服务的热潮如春风般吹拂每个角落。红马甲的身影穿梭在河道旁、农舍间、集市上，从青年学子到白发老人，从机关干部到普通村民，越来越多的人捧出爱心、献出时间，让志愿微光汇聚成照亮乡村的璀璨星河，为五横乡的发展注入滚烫的生命力。

　　环境整治的战场上，志愿红马甲是最亮眼的底色。青年志愿服务队扛着工具奔走在整治一线，河道里的漂浮物、路边的杂草堆、墙角的废弃杂物，都被他们一一清理干净。“3·5”学雷锋纪念日当天，百余名志愿者分片行动，用半天时间让三条多年未彻底清扫的小巷焕然一新；植树节里，他们带着树苗在荒坡上忙碌，培土、浇水，细致得像对待自家菜园，数百棵新栽的树苗在春风里挺直腰杆。曾经的卫生死角变成了整洁的小广场，堆满垃圾的河岸种上了花草，村民们走在路上，看着越来越清爽的家园，脸上的笑容也多了起来。

　　志愿者们会定期前往孤寡老人的住所，为其打扫房间、购置生活所需物品。他们陪伴老人聊天以排解其烦闷，倾听老人讲述过往经历，为老人的生活带去温暖与慰藉。在关爱留守儿童领域，志愿者们借助“宜童享未来”暑期课堂等活动，为孩子们辅导课业，开展各类兴趣课程。来自多所院校的大学生志愿者以耐心与爱心为孩子们开启知识的大门，充实了孩子们的暑期生活，助力他们健康成长。

　　文明实践的舞台上，志愿红马甲是最活跃的主角。新时代文明实践所联合各方力量，把服务和欢乐送到村民家门口。“文明大集市”定期开集，医务人员搭起临时诊疗台，量血压、听心率，还手把手教老人做降压操；理发师带着工具来摆摊，免费给村民剪发，剪完还会给老人梳个精神的发型；非遗传承人现场教捏泥人，孩子们围在旁边学得不亦乐乎。机关干部志愿者则化身“宣讲员”，用村民听得懂的土话讲政策、说故事，把“绿水青山就是金山银山”的道理融进身边的变化里。这些活动像磁石一样吸引着村民，有人来办事，有人来学艺，有人来聊天，热闹的场面里藏着浓浓的烟火气和幸福感。

　　如今的五横乡，志愿精神已融入乡风吹进人心。越来越多的村民从“看客”变成“参与者”，曾经受助的张大叔主动加入环境整治队，被辅导过的孩子假期当起“小小志愿者”。这抹志愿红，不仅擦亮了乡村的颜值，温暖了百姓的日子，更凝聚起共建家园的力量，让五横乡在乡村振兴的路上走得更稳、更暖。（通讯员 张佳）

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。